BLF8G10LS-160V,112
NXP USA Inc.
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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5+ | $61.28 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Prüfung | 30 V |
Spannung - Nennwert | 65 V |
Technologie | LDMOS |
Supplier Device-Gehäuse | SOT502B |
Serie | - |
Leistung | 35W |
Verpackung / Gehäuse | SOT-502B |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tube |
Rauschmaß | - |
Befestigungsart | Flange Mount |
Gewinnen | 19.7dB |
Frequenz | 920MHz ~ 960MHz |
Strom - Test | 1.1 A |
Grundproduktnummer | BLF8 |
BLF8G10LS-160 NXP
IC AMP CDMA 902-960MHZ SOT502B
TRANS RF PWR LDMOS 160W SOT502A
RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B
RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A
RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B
RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F
BLF8G10LS-270 NXP
RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C
RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F
RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F
RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B
TRANS RF PWR LDMOS 160W SOT502A
BLF8G10LS-270GV NXP
IC AMP CDMA 902-960MHZ SOT502B
RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
2024/04/11
2024/03/21
2024/06/19
2024/06/28
BLF8G10LS-160V,112NXP USA Inc. |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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